H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/812 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)
Patent
CA 2502485
The present invention provides a unit cell of a metal-semiconductor field- effect transistor (MESFET). The unit cell of the MESFET includes a source (13), a drain (17) and a gate (24). The gate (24) is disposed between the source (13) and the drain (17) and on an n-type conductivity channel layer (18). A p-type conductivity region (14) is provided beneath the source and has an end that extends towards the drain (17). The p-type conductivity region (14) is spaced apart from the n-type conductivity channel region (18) and is electrically coupled to the source (13).
La présente invention concerne une cellule unitaire d'un transistor à effet de champ métal-semi-conducteur (MESFET). La cellule unitaire du MESFET comprend une source (13), un drain (17) et une grille (24). La grille (24) est disposée entre la source (13) et le drain (17) et sur une couche (18) à canal de conductivité de type n. La région (14) de conductivité de type p est ménagée sous la source et elle présente une extrémité s'étendant vers le drain (17). La région (14) de conductivité de type est espacée de la région (18) à canal de conductivité de type n et elle est couplée électriquement à la source.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1848183