H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
Patent
CA 2547614
A new transparent-charge-injection-layer consisting of LiF/Al/Al-doped-SiO has been developed as (i) a cathode for top emitting organic light-emitting diodes (TOLEDs) and as (ii) a buffer layer against damages induced by energetic ions generated during deposition of other functional thin films by sputtering, or plasma-enhanced chemical vapor deposition. A luminance of 1900 cd/m2 and a current efficiency of 4 cd/A have been achieved in a simple testing device structure of ITO/TPD (60 nm)/Alq3 (40 nm)/LiF (0.5 nm)/Al (3 nm)/Al-doped-SiO (30 nm). A thickness of 30 nm of Al-doped SiO is also found to protect organic layers from ITO sputtering damage.
L'invention concerne une nouvelle couche d'injection à charge transparente constituée de SiO dopé LiF/Al/Al servant de (i) cathode pour des diodes électroluminescentes organiques à émission par le haut (TOLED) et de (iii) couche tampon contre les dommages induits par les ions énergétiques générés pendant le dépôt d'autres films fonctionnels minces au moyen de la pulvérisation cathodique ou d'un dépôt en phase vapeur à amélioration plasma. Une luminance de 1 900 cd/m?2¿ et une efficacité de courant de 4cd/A ont été mises au point dans une structure de dispositif simple test de ITO/TPD (60 nm)/Alq¿3? (40 nm)/LiF (0.5 nm)/Al (3 nm)/Al de SiO dopé (30 nm). Une épaisseur de 30 nm de SiO dopé Al s'est également avérée protéger les couches organiques de dommages induits par la pulvérisation cathodique ITO.
Feng Xiadong
Han Sijin
Johnson David J.
Lu Zhenghong
Wood Richard P.
Luxell Technologies Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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