H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/32 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/677 (2006.01)
Patent
CA 2688522
Disclosed is a reactor for treating flat substrates, comprising a vacuum chamber (11) and a process chamber (9). A first electrode (5) and a counter electrode (7) which form two opposite walls of the process chamber are provided for generating a plasma. The counter electrode can accommodate the substrate (3). The reactor further comprises means for introducing (19, 23, 25) and evacuating gaseous material into and/or from process chamber, an inlet and outlet for the vacuum chamber, and a mechanism (41, 43) for varying the relative distance between the electrodes, a first relatively great distance being used when the process chamber is loaded and discharged and a second relatively short distance being used when the treatment is performed, and/or a device which is associated with the counter electrode, is used for accommodating substrates, and is designed such that the substrate is disposed at an angle alpha ranging from 0° to 90°, preferably at an angle of 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°, relative to the vertical direction at least while the treatment is performed, the substrate surface that is to be treated facing downward.
L'invention concerne un réacteur pour le traitement de substrats plats, qui comprend une chambre sous vide (11), un compartiment de traitement (9), une première électrode (5) et une contre-électrode (7) étant prévues pour produire un plasma et formant deux parois opposées du compartiment de traitement, des moyens (19, 23, 25) permettant d'introduire une substance gazeuse dans ledit compartiment de traitement et d'extraire cette substance dudit compartiment, le substrat (3) pouvant être reçu par la contre-électrode, une ouverture pour le chargement et le déchargement de la chambre sous vide et un dispositif (41, 43) permettant de faire varier la distance relative entre les électrodes, une première distance relativement grande étant prévue lorsque la chambre de traitement est chargée ou déchargée et une seconde distance relativement petite étant prévue lorsque le traitement est exécuté, et/ou un dispositif associé à la contre-électrode et destiné à recevoir des substrats, lequel dispositif est réalisé de sorte que le substrat est placé surface à traiter vers le bas, à un angle alpha compris entre 0° et 90°, de préférence d'une valeur de 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°, par rapport à la verticale, au moins pendant l'exécution du traitement.
Beckmann Rudolf
Geisler Michael
Merz Thomas
Roeder Mario
Leybold Optics Gmbh
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1468966