H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/772 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
Patent
CA 2212765
To reduce susceptibility to punchthrough, the channel region of the P body region (104) of a trench field effect transistor is formed in a layer of lightly doped epitaxial silicon (101). As a result, the channel region has less counterdoping from the background epitaxial silicon and has a greater net P type dopant concentration. Due to the higher net dopant concentration of the P body region, the depletion regions on either side of the P body region expand less far inward through the P body region at a given voltage, thereby rendering the transistor less susceptible to source-to-drain punchthrough. To maintain a low RDSon, the relatively high conductivity of an accumulation region formed along a sidewall of the trench of the transistor when the transistor is on is used to form a conductive path from the channel region to an underlying relatively highly conductive layer (103, 102) upon which the lightly doped epitaxial layer is formed.
Pour diminuer la sensibilité au claquage, la région du canal de la région (104) de corps à dopants de type P d'un transistor à effet de champ avec une tranchée est formée dans une couche d'un silicium épitaxial légèrement dopé (101). Dans ces conditions, la région du canal a moins de contredopage depuis le silicium épitaxial de base et elle a une concentration nette plus élevée en dopants du type P. Par suite de cette concentration plus élevée en dopants de la région de corps à dopants du type P, les régions de déplétion sur les deux côtés de la région de corps à dopants du type P diffusent moins loin vers l'intérieur de la région de corps à dopants du type P sous une tension donnée, ce qui rend le transistor moins sensible à un claquage source-drain. Pour maintenir la résistance source-drain à un niveau bas, la conductivité relativement élevée d'une région d'accumulation formée le long d'une paroi latérale de la tranchée du transistor est utilisée, quand le transistor en service, pour former un chemin conducteur de la région de canal vers une couche sous-jacente relativement fortement conductrice (103, 102) sur laquelle est formée la couche Bpitaxiale légèrement dopée.
Chang Mike F.
Hshieh Fwu-Iuan
Siliconix Incorporated
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2032748