Tunable laser diode having a distributed feedback structure

H - Electricity – 01 – S

Patent

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H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/0625 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/06 (2006.01) H01S 5/062 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01S 3/18 (1995.01)

Patent

CA 2131362

A distribution feedback laser diode, comprises a substrate, a waveguide layer provided on the substrate, an active layer provided on the waveguide layer, a diffraction grating provided at an interface between the substrate and the waveguide layer for reflecting an optical radiation formed in the active layer back and forth, a clad layer provided on the active layer for confining the optical radiation within the active layer, a plurality of segmented electrodes provided on the top surface of the clad layer along an elongated direction of the laser diode for injecting the carriers into the active layer, wherein at least one of the segmented electrodes is provided in correspondence to a part of the active layer in which the optical radiation formed in the active layer has a maximum intensity level, and a backside electrode provided at the bottom surface of the substrate for injecting the carriers into the active layer through the substrate.

Un diode laser de régulation de distribution est constitué d'un substrat, d'une couche de guides d'ondes située sur le substrat, d'une couche active située sur la couche de guides d'ondes, d'un réseau de diffraction situé sur l'interface entre le substrat et la couche de guides d'ondes pour réfléchir un rayonnement optique formé dans la couche active selon un mouvement d'aller retour, d'une couche plaquée située sur la couche active pour confiner le rayonnement optique dans la couche active, d'électrodes segmentées situées sur la surface supérieure de la couche plaquée dans le sens allongé du diode laser pour injecter les porteuses dans la couche active dans laquelle au moins une des électrodes segmentées correspond à une partie de la couche active dans laquelle le rayonnement optique formé a une intensité maximale, et d'une électrode arrière se trouvant sur la surface inférieure du substrat pour injecter les porteuses dans la couche active en passant par le substrat.

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