H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
356/112
H01L 23/34 (2006.01) H01L 39/22 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2030713
A tunnel junction device includes a pair of superconduction layers formed of a compound oxide superconductor material and a non-superconduction layer formed between the pair of superconduction layers. The non-superconductive material layer is formed of a compound oxide superconductor material which is substantially the same as that of the first and second superconduction layers but which is doped with a dopant of an amount sufficient for the compound oxide superconductor material to lose the superconduction property. The first superconduction layer, the non-superconductive material layer and the second superconduction layer have a continuous crystal lattice as a whole. The above mentioned tunnel junction structure is formed by continuously depositing the compound oxide superconductor material on a substrate without interrupt of deposition from a beginning of the deposition of the first superconduction layer until a termination of deposition of the second superconduction layers, and adding a dopant concurrently with deposition of the compound oxide superconductor material only at the time of forming the non-superconduction layer, so that the first superconduction layer, the non-superconduction layer and the second superconduction layer are continuously formed in the named order without interrupt of deposition of the compound oxide superconductor material.
Dispositif de jonction à effet tunnel comprenant deux couches supraconductrice formées sur un matériau supraconducteur et une couche non supraconductrice formée entre les deux premières couches. La couche de matériau non supraconducteur est formée d'un matériau supraconducteur à oxyde composé qui est essentiellement le même que celui de la première et de la deuxième couches supraconductrices mais qui est dopé avec un dopant en quantité suffisante pour que le matériau supraconducteur à oxyde composé perde sa propriété supraconductrice. La première couche supraconductrice, la couche de matériau non supraconducteur et la deuxième couche supraconductrice ont, dans l'ensemble, un réseau cristallin continu. La structure de jonction à effet tunnel précitée est formée par dépôt continu du matériau supraconducteur à oxyde composé sur un substrat sans interruption depuis le début du dépôt de la première couche supraconductrice jusqu'à la fin du dépôt des deuxièmes couches supraconductrices, un dopant étant ajouté lors du dépôt du matériau supraconducteur à oxyde composé seulement au moment de la formation de la couche non supraconductrice, de sorte que la première couche supraconductrice, la couche non supraconductrice et la deuxième couche supraconductrice sont formées de façon continue dans l'ordre précité sans interruption du dépôt du matériau supraconducteur à oxyde composé.
Itozaki Hideo
Nakanishi Hidenori
Tanaka Saburo
Yazu Shuji
Bereskin & Parr
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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