Two-channel semiconductor laser and method for fabricating same

Details Two-channel semiconductor laser and method for fabricating same Two-channel semiconductor laser and method for fabricating same

H - Electricity

01

S

H01S 5/227 (2006.01) H01S 3/085 (1995.01)

Patent

CA 2073885

Le courant d'alimentation d'un laser à phosphure d'indium ou arséniure de gallium est confiné dans un ruban laser (14A) par deux moyens. Un moyen de blocage de courant rapproché est constitué par une jonction bloquante (JB) formée dans deux canaux latéraux (CL) délimitant ce ruban. Un moyen de blocage de courant éloigné est constitué par une couche semi-isolante (24) dopée au fer et déposée épitaxialement avant la gravure des canaux latéraux. L'invention s'applique notamment à la réalisation des lasers de pompage utilisés dans les amplificateurs optiques des liaisons à fibres optiques.

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