G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/14 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) G11C 11/16 (2006.01) G11C 11/18 (2006.01)
Patent
CA 2173222
A random access memoq element (100) utilizes giant magnetoresistance. The element (100) includes at least one pair of ferromagnetic layers (106, 110) sandwiching a nonmagnetic conductive layer (108). At least one of the two ferromagnetic layers has a magnetic moment oriented within its own plane. The magnetic moment of at least the first ferromagnetic layer of the pair has its magnetic moment oriented within its own plane and is typically fixed in direction during use. The second ferromagnetic layer of the pair has a magnetic moment which has at least two preferred directions of orientation which may or may not reside within the plane of the second ferromagnetic layer. The bit of the memory element may be set by applying to the element a magnetic field which orients the magnetic moment of the second ferromagnetic layer in one or the other of these preferred orientations. The set value is determined by the relative alignment of the magnetic moments of the first and second ferromagnetic layers.
Une mémoire vive (100), qui utilise une magnétorésistance géante, comporte au moins une paire de couches ferromagnétiques (106, 110) entourant une couche (108) conductrice amagnétique. L'une de ces deux couches ferromagnétiques au moins présente un moment magnétique orienté dans son propre plan. Le moment magnétique de la première couche ferromagnétique de cette paire au moins présente un moment magnétique orienté dans son propre plan selon une direction généralement fixe pendant l'utilisation. La deuxième couche ferromagnétique présente un moment magnétique qui offre au moins deux orientations préférées situées ou non dans son propre plan. Le bit de mémoire peut être fixé par application à la mémoire d'un champ magnétique qui oriente le moment magnétique de la deuxième couche ferromagnétique dans l'une ou l'autre de ces orientations préférées. La valeur fixée est déterminée par l'alignement relatif des moments magnétiques des première et deuxième couches ferromagnétiques.
Ridout & Maybee Llp
The Secretary Of The Navy
LandOfFree
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