H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/00 (2006.01) G02F 1/1362 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01) H01L 21/86 (2006.01) H01L 29/86 (2006.01)
Patent
CA 2324357
A liquid crystal array and associated drive circuitry are monolithically formed on a silicon-on-sapphire structure, and are fabricated by a method comprising the steps of: a) forming an epitaxial silicon layer on a sapphire substrate to create a silicon-on-sapphire structure; b) ion implanting the epitaxial silicon layer; c) annealing the silicon-on- sapphire structure; d) oxidizing the epitaxial silicon layer to form a silicon dioxide layer from a portion of the epitaxial silicon layer so that a thinned epitaxial silicon layer remains; e) removing the silicon dioxide to expose the thinned epitaxial silicon layer; f) fabricating an array of pixels from the thinned epitaxial silicon layer wherein each of the pixels includes a liquid crystal capacitor, and g) fabricating integrated circuitry from the thinned epitaxial silicon layer which is operably coupled to modulate the pixels. The thinned epitaxial silicon supports the fabrication of device quality circuitry on the silicon-on-sapphire structure which is used to control the operation of the pixels.
La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer un afficheur matriciel à cristaux liquides intégré et sa logique de commande sur une structure silicium sur saphir. Ce procédé comporte plusieurs opérations: a) formation d'une couche de silicium épitaxial sur un substrat de saphir de façon à créer la structure silicium sur saphir; b) implantation ionique de la couche de silicium épitaxial. c) Recuit de la structure silicium sur saphir; d) oxydation de la couche de silicium épitaxial pour obtenir une couche de dioxyde de silicium à partir de la couche de silicium épitaxial de façon à ne conserver qu'une couche plus fine de silicium épitaxial; e) suppression de la couche de dioxyde de silicium pour dégager la couche plus fine de silicium épitaxial; f) fabrication d'une matrice de pixels à partir de la couche plus fine de silicium épitaxial; et g) fabrication du circuit intégré à partir de la couche plus fine de silicium épitaxial qui est fonctionnellement couplée de façon à moduler les pixels. Cette couche plus fine de silicium épitaxial est compatible avec la fabrication d'un circuit de qualité d'appareil convenant à la gestion de la mise en oeuvre des pixels.
Offord Bruce W.
Russell Stephen D.
Shimabukuro Randy L.
Macrae & Co.
Offord Bruce W.
Russell Stephen D.
Shimabukuro Randy L.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1926238