H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/535 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) H01J 37/34 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 23/50 (2006.01)
Patent
CA 2162596
A method and apparatus for sputter depositing aluminum onto a semiconductor substrate (19) to fill micron and submicron vias utilizes ultrasonic energy to ensure adequate filling of the vias. The semiconductor is supported on a block (16) and heated and subjected to ultrasonic energy greater than 25kHz as aluminum is sputter deposited onto the substrate surface (19). The frequency of the ultrasonic energy is varied from 35 to 42kHz as the aluminum is deposited in order to avoid standing wave or node formation along the substrate surface. This permits an efficient high quality application of aluminum and filling of vias on a semiconductor substrate.
L'invention concerne un procédé et un appareil de pulvérisation pour déposer de l'aluminium sur un substrat à semi-conducteur (19) en vue de remplir des interconnexions entre couches d'un micron et moins, utilisant de l'énergie sous la forme d'ultrasons pour assurer un remplissge efficace de ces interconnexions. Le semi-conducteur est supporté par un bloc (16), chauffé et soumis à une énergie sous forme d'ultrasons supérieure à 25 kHz, pendant que l'aluminium est déposé par pulvérisation sur la surface du substrat (19). On fait varier la fréquence des ultrasons entre 35 et 42 kHz lorsque l'aluminium est déposé, pour éviter la formation d'une onde stationnaire ou de noeuds sur la surface du substrat. Ceci permet l'application de l'aluminium et le remplissage efficace et de bonne qualité des interconnexions du substrat à semi-conducteur.
Macrae & Co.
Tokyo Electron Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1523433