H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/30 (2006.01) C07F 5/02 (2006.01) C07F 11/00 (2006.01)
Patent
CA 2549309
The invention relates to the use of a metal complex as n-dopant for doping an organic semiconducting matrix material for modifying the electrical properties of the same, wherein the compound represents an n-dopant with regard to the matrix material. The aim of the invention is to provide n-doped organic semiconductors for matrix materials that have little reduction potential while achieving high conductivities. According to the invention, a neutral electron- rich metal complex having a central atom as the preferably neutral or charged transition metal atom having a valence electron number of at least 16 is used as the dopant compound. The complex can especially be multinuclear and comprises at least one metal-metal bond. At least one ligand can form a Pi complex with the central atom, or can be a bridging ligand, especially hpp, a borate, carborane or triazacycloalkane or comprise at least one carbanion carbon atom or a bivalent atom selected from the group including C (carbene), Si (silylene), Ge (germylene), Sn, Pb. The invention also relates to novel n- dopants and methods for producing them.
L'invention concerne l'utilisation d'un complexe métallique comme dopant n destiné la doper un matériau matrice semi-conducteur organique pour en modifier les propriétés électriques, le composé représentant un dopant n en ce qui concerne le matériau matrice. L'invention vise à obtenir des semi-conducteurs organiques dopés n même pour des matériaux matrices ayant un faible potentiel de réduction tout en obtenant une grande conductivité. A cet effet, on utilise comme composé dopant un complexe métallique neutre riche en électrons ayant un atome central comme atome de métal de transition, de préférence, neutre ou chargé ayant un nombre d'électrons de valence de 16 minimum. Le complexe peut notamment être multinucléaire et présenter au moins une liaison métal-métal. Au moins un ligand peut former avec l'atome central un complexe Pi, un ligand de connexion, notamment hpp, un borate, carborane ou un triazacycloalkane ou au moins un atome de charbon de carbanion ou un atome à double liaison sélectionné dans le groupe composé de C (carbène), Si (Silylène), Ge (Germylène), Sn, Pb. L'invention concerne également de nouveaux dopants n et leur procédé de production.
Gessler Simon
Gruessing Andre
Harada Kentaro
Hartmann Horst
Kuehl Olaf
Miller Thomson Llp
Novaled Ag
Novaled Gmbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1878566