C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 18/28 (2006.01) C23C 18/16 (2006.01) C23C 18/18 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2238490
A method for making integrated circuit wafers wherein the wafer has vias or other openings in the wafer which openings have a barrier/adhesion or other metal layer which is metallized to form the circuit comprising activating the metal layer and then sensitizing the metallic layer using a sensitizing displacement composition comprising preferably an alkaline palladium non- ammonia nitrogen (ethylene diamine) complex which is contacted with the wafer at a specially controlled pH. The wafer is activated using an activation solution which contains a complexing agent for any dissolved metal. The sensitizing solution also preferably contains a complexing agent for dissolved metal and preferably contains a second complexing agent such as EDTA to solubilize base metal contaminants.
Un procédé permet de fabriquer des galettes de circuits intégrés dotées de traversées ou d'autres ouvertures comprenant une couche diélectrique/d'adhérence ou une autre couche métallique qui est métallisée pour former un circuit. Ce procédé consiste à activer la couche métallique puis à la rendre sensible à l'aide d'une composition sensibilisatrice d'élimination qui comprend de préférence un complexe palladium alcalin-azote non ammoniacal (diamine d'éthylène) qu'on met en contact avec la galette à un pH précis. La galette est activée à l'aide d'une solution d'activation qui contient un agent complexant pour tout métal dissous. La solution de sensibilisation contient aussi de préférence un agent complexant du métal dissous et, de préférence, un deuxième agent complexant, tel que l'acide tétracétique de diamine d'éthylène (EDTA), afin de dissoudre des contaminants métalliques basiques.
Enthone-Omi Inc.
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
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