H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/316 (2006.01) B05D 3/04 (2006.01) B05D 7/24 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 18/12 (2006.01) H01L 21/314 (2006.01)
Patent
CA 2336770
A process for the manufacture of nanoporous silica dielectric films by vapor deposition of silica precursors on a substrate. The process provides for vaporizing at least one alkoxysilane composition; depositing the vaporized alkoxysilane composition onto a substrate; exposing the deposited alkoxysilane composition to a water vapor, and either an acid or a base vapor; and drying the exposed alkoxysilane composition, thereby forming a relatively high porosity, low dielectric constant, silicon containing polymer composition on the substrate.
L'invention concerne un procédé servant à fabriquer des films diélectriques en silice nanoporeuse en déposant par évaporation sous vide des précurseurs de silice sur un substrat. Ce procédé consiste à vaporiser au moins une composition alcoxysilane, à déposer sur un substrat cette composition alcoxysilane vaporisée, à exposer la composition alcoxysilane à une vapeur d'eau et à une vapeur acide ou basique, enfin à sécher la composition alcoxysilane ainsi exposée. On obtient ainsi sur le substrat une composition polymère contenant du silicium, présentant une faible constante diélectrique ainsi qu'une porosité relativement élevée.
Ramos Teresa
Roderick Kevin H.
Smith Douglas M.
Alliedsignal Inc.
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1467278