Vapor phase growth apparatus

Details Vapor phase growth apparatus Vapor phase growth apparatus

H - Electricity

01

L

H01L 21/205 (2006.01)

Patent

CA 2556066

Epitaxially growing equipment for epitaxially growing a thin film having excellent uniformity over the entire wafer surface. The epitaxially growing equipment is provided with at least a reactor which can be sealed airtight, a wafer storing means (wafer holder), which is arranged in the reactor and has a wafer placing part (pocket hole) for holding the wafer on the front side, a gas supplying means (gas introducing pipe) for supplying a material gas to the wafer, a heating means (heater) for heating the wafer, and a heat uniformizing means (susceptor), which holds the wafer storing means and uniformizes heat from the heating means. In the reactor of the epitaxially growing equipment, the growing film is formed on the wafer surface by supplying the material gas in a high-temperature status, while heating the wafer by the heating means via the heat uniformizing means and the wafer storing means. On the rear side of the wafer storing means, a part recessed in a dome-shape is formed.

Équipement de culture épitaxiale pour culture épitaxiale d'un film mince ayant une uniformité excellente sur toute la surface de la pastille. L'équipement de culture épitaxiale est pourvu d'au moins un réacteur qui peut être scellé hermétiquement, d'un moyen de stockage de pastille (support de pastille), qui est disposé dans le réacteur et possède une pièce de mise en place de pastille (trou borgne) pour maintenir la pastille sur le côté avant, un moyen d'alimentation en gaz (tuyau d'injection de gaz) pour acheminer un gaz de matière à la pastille, un moyen de chauffage (radiateur) pour chauffer la pastille, et un moyen d'uniformisation thermique (compensateur de phase à dérivation), qui maintient le moyen de stockage de pastille et uniformise la chaleur provenant du moyen de chauffage. Dans le réacteur de l'équipement de culture épitaxiale, le film de culture est formé sur la surface de pastille en injectant le gaz de matière à haute température, tout en chauffant la pastille à l'aide du moyen de chauffage par le biais du moyen d'uniformisation thermique et du moyen de stockage de pastille. Sur le côté arrière du moyen de stockage de pastille, une partie en retrait en forme de dôme se forme.

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