H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/205 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01) C30B 25/12 (2006.01)
Patent
CA 2486664
A vapor phase epitaxial apparatus comprises a sealable reaction furnace, a wafer accommodation body which is installed in the reaction furnace to dispose a wafer at a predetermined position, a gas feeding means for feeding raw gas toward the wafer, and a heating means for heating the wafer. An epitaxial film is formed on a surface of the wafer by feeding the raw gas into the reaction furnace in a high-temperature state while heating the wafer via the wafer accommodation body by the heating means in the reaction furnace. The wafer accommodation body comprises a heat flow control unit having a cavity formed for accommodating the wafer, and a heat flow transmission unit which is joined to the heat flow control unit to transfer the heat to the wafer accommodated in the cavity. The contact thermal resistance of the heat flow control unit with the heat flow transfer unit is set to be not lower than 1.0 x 10-6 m2K/W and not greater than 5.0 x 10-3 m2K/W, and the heat flow control unit is formed of a material having the thermal conductivity of not smaller than 0.5 times and not greater than 5 times of the thermal conductivity of the wafer disposed on the heat flow transfer unit.
L'invention concerne un appareil épitaxial en phase vapeur comprenant un four à réaction pouvant être hermétiquement fermé, un corps destiné à recevoir une tranche et installé dans le four à réaction pour placer une tranche sur une position prédéterminée, un moyen d'alimentation de gaz destiné à injecter du gaz brut vers la tranche, et un moyen de chauffage destiné à chauffer la tranche. Un film épitaxial est formé sur une surface de la tranche par injection de gaz brut dans le four à réaction à haute température tout en chauffant la tranche par l'intermédiaire du corps logeant la tranche par les moyens de chauffage du four à réaction. Le corps logeant la tranche comprend une unité de commande de flux thermique avec une cavité formée destinée à recevoir la tranche, et une unité de transmission de flux thermique jointe à l'unité de commande de flux thermique pour transférer la chaleur à la tranche placée dans la cavité. La résistance thermique de contact de l'unité de commande de flux thermique avec l'unité de transfert de flux thermique est établie de manière à ne pas se situer en dessous de 1,0 x 10?-6¿ m2K/W et au dessus de 5,0 x 10?-3¿ m?2¿K/W, et l'unité de commande de flux thermique est formée d'un matériau dont la conductivité thermique ne doit pas être 0,5 fois inférieure et 5 fois supérieure à la conductivité thermique de la tranche placée sur l'unité de transfert de flux thermique.
Makino Nobuhito
Shimizu Eiichi
Nikko Materials Co. Ltd.
Nippon Mining & Metals Co. Ltd.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1515013