Vapor-phase growth method

Details Vapor-phase growth method Vapor-phase growth method

H - Electricity

01

L

H01L 21/203 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C30B 23/08 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01)

Patent

CA 2556824

A vapor-phase deposition method for growing an epitaxial layer of a compound semiconductor such as InAlAs on a semiconductor substrate of, e.g., Fe-doped InP with good reproducibility. In the vapor-phase deposition method, the resistivity of the semiconductor substrate at the room temperature is previously measured, the set temperature of the substrate is controlled according to the resistivity at the room temperature so that the actual surface temperature of the substrata may be a desired one independently of the resistivity of the semiconductor substrate, and the epitaxial layer is grown.

: Méthode de déposition en phase vapeur pour cultiver une couche épitaxiale d'un composé semi-conducteur tel que l'InAlAs sur un substrat semi-conducteur de, ex., dopé-Fe InP avec une bonne reproductivité. Dans la méthode de déposition en phase vapeur, la résistivité du substrat semi-conducteur à la température de la pièce est mesurée préalablement, la température établie du substrat est contrôlée en fonction de la résistivité à la température de la pièce de façon que la température réelle à la surface du substrat puisse être celle désirée indépendamment de la résistivité du substrat semi-conducteur, et que la couche épitaxiale soit cultivée.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Vapor-phase growth method does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Vapor-phase growth method, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Vapor-phase growth method will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2068536