C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/04 (2006.01) B01J 19/00 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01)
Patent
CA 2541479
In a vapour deposition method which can be used to deposit mixtures of materials in progressively varying amounts on a substrate (1) and which can be used for a variety of purposes, but is of especial value in combinatorial chemistry, the path of the vaporised material from the source (3) to the substrate (1) is partially interrupted by a mask (5), the positioning of the mask in a plane parallel to the plane defined by the substrate (1) being such that the material is deposited on the substrate (1) in a thickness which increases substantially continuously in a direction along the substrate (1).
L'invention concerne une méthode de dépôt par évaporation sous vide pouvant être utilisée pour déposer des mélanges de matériaux, dans des quantités progressivement variables, sur un substrat (1), et pouvant être utilisée pour une variété d'applications. En particulier, l'invention concerne une méthode particulièrement appropriée à la chimie combinatoire, dans laquelle la trajectoire du matériau vaporisé à partir de la source (3), sur le substrat (1), est partiellement interrompue par un masque (5), le positionnement du masque dans un plan parallèle au plan défini par le substrat (1) étant tel que le matériau est déposé sur le substrat (1) avec une épaisseur qui augmente sensiblement et continuellement dans une direction longeant le substrat (1).
Guerin Samuel
Hayden Brian Elliott
Marks & Clerk
University Of Southampton
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1711269