Versatile method and system for single mode vcsels

Details Versatile method and system for single mode vcsels Versatile method and system for single mode vcsels

H - Electricity

01

S

H01S 3/00 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)

Patent

CA 2430348

A system and method for providing a single mode VCSEL (vertical cavity surface emitting laser) component (100) is disclosed, comprising a semiconductor substrate (102) having a lower surface and an upper surface, a bottom electrical contact (104) disposed along the lower surface of the substrate, a lower mirror (106) formed of n-type material and disposed upon the upper surface of the substrate, an active region (108) having a plurality of quantum wells disposed upon the lower mirror portion, an upper mirror (110) formed from isotropic material and disposed upon the active region, an equipotential layer (112) disposed upon the upper mirror portion, a first upper electrical contact (120) disposed upon the equipotential layer at a particular distance (124) from the first upper electrical contact, a first isolation region (126) disposed beneath the first upper contact and traversing the equipotential layer, the upper mirror, the active region, and the lower mirror, a second isolation region (128) disposed beneath the second upper contact and traversing the equipotential layer, the upper mirror, the active region, and the lower mirror, and an insulating layer (114, 116) interposed between the upper mirror and the equipotential layer and adapted to form therebetween an aperture (118) of smaller dimension than the particular distance between the first and second upper contacts.

L'invention concerne un procédé et un système permettant d'obtenir un composant de VCSEL monomode (100), comprenant un substrat à semi-conducteur (102) présentant une surface inférieure et une surface supérieure, un plot central électrique (104) disposé le long de la surface inférieure du substrat, un miroir inférieur (106) à base de matériau de type n et disposé sur la surface supérieure du substrat, une zone active (108) présentant une pluralité de puits quantiques disposés le long de la partie de miroir inférieure, un miroir supérieur (110) en matériau isotrope et disposé au-dessus de la zone active, une couche équipotentielle (112) disposée sur la partie de miroir supérieur, un premier contact électrique supérieur (120) disposé sur la couche équipotentielle, un second contact électrique supérieur (122) disposé sur la couche équipotentielle à une distance particulière (124) du premier contact électrique supérieur, une première zone isolante (126) disposée entre le premier contact supérieur et traversant la couche équipotentielle, le miroir supérieur, la zone active et le miroir inférieur, une seconde zone isolante (128) disposée entre le premier contact supérieur et traversant la couche équipotentielle, le miroir supérieur, la zone active, et le miroir inférieur, ainsi qu'une couche isolante (114, 116) interposée entre le miroir supérieur et la couche équipotentielle et adaptée pour former entre, une ouverture (118) de dimensions inférieures à celles de la distance particulière entre les premiers et seconds contacts supérieurs.

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