H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/423 (2006.01)
Patent
CA 2618979
Semiconductor devices and methods of making the devices are described. The devices can be implemented in SiC and can include expitaxially grown n-type drift and p-type trenched gate regions, and an n-type epitaxially regrown channel region on top of the trenched p-gate regions. A source region can be epitaxially regrown on top of the channel region or selectively implanted into the channel region. Ohmic contacts to the source, gate and drain regions can then be formed. The devices can include edge termination structures such as guard rings, junction termination extensions (JTE), or other suitable p-n blocking structures. The devices can be fabricated with different threshold voltages, and can be implemented for both depletion and enhanced modes of operation for the same channel doping. The devices can be used as discrete power transistors and in digital, analog, and monolithic microwave integrated circuits.
La présente invention concerne des dispositifs semi-conducteurs et des procédés de fabrication de ce dispositif. Ces dispositifs peuvent être mis en oeuvre en SiC et peuvent comprendre des régions grille en tranchée de type p et drain de type n à croissance épithéliale et, une région de canal de nouvelle croissance épitaxiale de type n au au-dessus des régions grille p en tranchée. Une région source peut faire l'objet d'une nouvelle croissance épitaxiale au-dessus de la région du canal ou être sélectivement implantée dans la région du canal. Des contacts ohmiques vers les régions source, grille et drain peuvent ensuite être formés. Ces dispositifs peuvent comprendre des structures de terminaison de bord tel que des bagues de protection, des extensions de terminaison de jonction (JTE) ou d'autres structures de blocage p-n souhaitables. Ces dispositifs peuvent être fabriqués avec différentes tensions de seuil et, peuvent être mis en oeuvre pour des modes d'atténuation et de renfort de fonctionnement pour le même dopage de canal. Ces dispositifs peuvent être utilisés comme transistors des puissance discrets et dans des circuits intégrés micro-onde numériques, analogiques et monolithiques.
Cheng Lin
Mazzola Michael S.
Macrae & Co.
Mississippi State University
Semisouth Laboratories Inc.
Ss Sc Ip Llc
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1824644