H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2200305
A light emitting diode (20) emits in the blue portion of the visible spectrum and is characterized by an extended lifetime. The light emitting diode comprises a conductive silicon carbide substrate (21); an ohmic contact (22) to the silicon carbide substrate; a conductive buffer layer (23) on the substrate and selected from the group consisting of gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, ternary Group III nitrides having the formula AxB1- xN, where A and B are Group III elements and where x is zero, one, or a fraction between zero and one, and alloys of silicon carbide with such ternary Group III nitrides; and a double heterostructure (24) including a p-n junction on the buffer layer in which the active (25) and heterostructure layers (26, 27) are selected from the group consisting of binary Group III nitrides and ternary Group III nitrides.
L'invention concerne une diode électroluminescente (20) émettant dans la partie bleue du spectre visible et caractérisée par une vie utile prolongée. La diode électroluminescente comprend un substrat conducteur (21) en carbure de silicium; un contact ohmique (22) avec le substrat au carbure de silicium, une couche intermédiaire conductrice (23) formée sur le substrat et sélectionnée dans le groupe comprenant le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium, les nitrures ternaires du Groupe III de formule A¿x?B¿1-x?N, dans laquelle A et B sont des éléments du Groupe III, x représente zéro, un ou un nombre fractionnaire compris entre zéro et un, ainsi que les alliages de carbure de silicium et de nitrures ternaires du Groupe III. La diode électroluminescente présente par ailleurs une hétérostructure (24) double comprenant une jonction P-N située sur la couche intermédiaire, dans laquelle la couche active (25) et les couches à hétérostructure (26, 27) sont choisies dans le groupe comprenant les nitrures binaires du Groupe III et les nitrures ternaires du Groupe III.
Bulman Gary E.
Dmitriev Vladimir
Edmond John Adam
Kong Hua-Shuang
Cree Inc.
Cree Research Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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