H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/80 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
Patent
CA 2733710
A vertical junction field effect transistor (VJFET) having a mesa termination and a method of making the device are described. The device includes: an n-type mesa on an n- type substrate; a plurality of raised n-type regions on the mesa comprising an upper n-type layer on a lower n-type layer; p-type regions between and adjacent the raised n-type regions and along a lower sidewall portion of the raised regions; dielectric material on the sidewalls of the raised regions, on the p-type regions and on the sidewalls of the mesa; and electrical contacts to the substrate (drain), p-type regions (gate) and the upper n-type layer (source). The device can be made in a wide-bandgap semiconductor material such as SiC. The method includes selectively etching through an n-type layer using a mask to form the raised regions and implanting p-type dopants into exposed surfaces of an underlying n-type layer using the mask.
La présente invention a pour objet un transistor à effet de champ à jonction verticale (VJFET) ayant un raccordement mesa et un procédé pour la fabrication du dispositif. Le dispositif comporte : une structure mesa de type n sur un substrat de type n ; une pluralité de régions surélevées de type n sur la structure mesa, comprenant une couche supérieure de type n sur une couche inférieure de type n ; des régions de type p entre les régions surélevées de type n et adjacentes à elles et le long d'une partie de paroi latérale inférieure des régions surélevées ; un matériau diélectrique sur les parois latérales des régions surélevées, sur les régions de type p et sur les parois latérales de la structure mesa ; et des contacts électriques sur le substrat (drain), les régions de type p (porte) et la couche supérieure de type n (source). Le dispositif peut être réalisé dans un matériau semi-conducteur à large bande passante comme le SiC. Le procédé comprend l'attaque chimique sélective à travers une couche de type n en utilisant un masque pour former les régions surélevées et en implantant des dopants de type p dans les surfaces exposées d'une couche sous-jacente de type n en utilisant le masque.
Merrett Joseph Neil
Sankin Igor
Macrae & Co.
Semisouth Laboratories Inc.
Ss Sc Ip Llc
LandOfFree
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