Vertical junction field effect transistors having sloped...

Details Vertical junction field effect transistors having sloped... Vertical junction field effect transistors having sloped...

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)

Patent

CA 2740223

Semiconductor devices and methods of making the devices are described. The devices can be junction field-effect transistors (JFETs). The devices have raised regions with sloped sidewalls which taper inward. The sidewalls can form an angle of 5° or more from verti-cal to the substrate surface. The devices can have dual--sloped sidewalls in which a lower portion of the sidewalls forms an angle of 5° or more from vertical and an upper portion of the sidewalls forms an angle of < 5° from verti-cal. The devices can be made using normal (i.e., 0°) or near normal incident ion implantation. The devices have relatively uniform sidewall doping and can be made with-out angled implantation.

La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs et des procédés de fabrication associés. Les dispositifs peuvent être des transistors à effet de champ à jonction (JFET). Les dispositifs présentent des zones rehaussées munies de parois latérales en pente qui sont inclinées vers l'intérieur. Les parois latérales peuvent former un angle de 5° ou plus dans le plan vertical par rapport à la surface du substrat. Les dispositifs peuvent comprendre des parois latérales à double pente, dans lesquelles une partie inférieure des parois latérales forme un angle de 5° ou plus dans le plan vertical, et une partie supérieure des parois latérales forme un angle de < 5° dans le plan vertical. Les dispositifs peuvent être réalisés en utilisant une implantation d'ions incidents normale (en d'autres termes, égale à 0°) ou proche de la normale. Les dispositifs ont un dopage relativement uniforme des parois latérales et peuvent être réalisés sans implantation en angle.

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