H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/861 (2006.01) H01L 21/329 (2006.01) H01L 21/334 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 27/08 (2006.01) H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
Patent
CA 2447722
The semiconductor diodes are diode configured vertical metal oxide semiconductor field effect devices formed using semiconductor pedestals (304) and having one diode terminal (324) as the common connection between the gates (318) and drains (312) of the vertical metal oxide semiconductor field effect devices, and one diode terminal (330) as the common connection with the sources (314) of the vertical metal oxide semiconductor field effect devices. Methods of manufacturing the vertical metal oxide seminconductor field effect devices are also disclosed.
La présente invention concerne des procédés et un appareil tels que décrits dans les revendications. En bref, cette invention concerne des diodes à semiconducteur possédant une chute de tension admissible de conduction directe faible, un courant de fuite inverse faible, une capacité haute tension et une capacité d'énergie à avalanche adaptés pour une utilisation dans des circuits intégrés et dans des dispositifs discrets. Ces diodes à semiconducteur sont des dispositifs à effet de champ à semiconducteurs d'oxyde métallique cylindriques et verticaux agencés en diodes qui possèdent une borne de diode comme connexion commune avec les sources des dispositifs à effet de champ à semiconducteur d'oxyde métallique cylindriques et verticaux. Cette invention concerne aussi le procédé de fabrication de ces dispositifs à effet de champs à semiconducteur d'oxyde métallique cylindriques et verticaux. On peut utiliser différentes terminaisons de dispositif pour finir ces dispositifs de diode. Cette invention concerne enfin divers modes de réalisation de l'invention.
Array Optronix Inc.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
Vram Technologies Llc
LandOfFree
Vertical metal oxide semiconductor field-effect diodes does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Vertical metal oxide semiconductor field-effect diodes, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Vertical metal oxide semiconductor field-effect diodes will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1620080