H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/768 (2006.01) C23F 3/06 (2006.01) H01L 21/321 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01)
Patent
CA 2435623
The present invention relates to the planarization of surfaces as typically encountered in the fabrication of integrated circuits, particularly copper conductors and Ta/TaN barrier layers encountered in damascene and dual damascene interconnects. The present invention describes planarization methods for Cu/Ta/TaN interconnects, typically making use of a viscous overlayer (13) tending to dwell in regions of lower surface topography (8, 9, 10), protecting said lower regions from etching by a combination of chemical and mechanical effects. In some embodiments, the viscous overlayer contains species that hinder removal of copper from regions of the surface in contact with the viscous layer. Such species may be a substantially saturated solution of copper ions among other additives, thereby hindering the dissolution of interconnect copper into the protective overlayer. In some embodiments of the present invention, the viscous overlayer may be added prior to the introduction of etchant to the wafer surface, or both etchant and viscous overlayer may be introduced substantially simultaneously, typically as the wafer is spun during planarization.
La présente invention concerne l'aplanissement de surfaces comme cela se présente souvent dans le cas de la fabrication de circuits intégrés, plus particulièrement pour les conducteurs de cuivre et les couches barrières Ta/TaN des interconnexions a damasquinage simple ou double. La présente invention concerne plus particulièrement des procédés d'aplanissement pour les interconnexions Cu/Ta/TaN, en utilisant en l'occurrence une couverture visqueuse ayant tendance à se réfugier dans les dépressions de surface, protégeant ainsi lesdites dépressions contre les phénomènes d'attaque chimio-mécanique. Pour certains modes de réalisation, la couverture visqueuse contient des espèces qui empêchent l'enlèvement du cuivre dans les zones de la surface en contact avec la couverture visqueuse. Ces espèces peuvent être une solution sensiblement saturée d'ions cuivre parmi d'autres additifs, ce qui bloque la dissolution du cuivre d'interconnexion dans la couverture de protection. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, la couverture visqueuse peut s'ajouter avant l'introduction des agents d'attaque chimique sur la surface de la plaquette, mais aussi, on peut introduire l'agent d'attaque chimique et la couverture visqueuse sensiblement simultanément, en général pendant la centrifugation d'égalisation de la plaquette.
Debear Donald
Levert Joseph
Mukherjee Shyama
Gowling Lafleur Henderson Llp
Honeywell International Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2049296