H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/64 (2006.01) B23K 20/02 (2006.01) B30B 15/02 (2006.01) B30B 15/06 (2006.01)
Patent
CA 2735202
A wafer bonding apparatus of the present invention includes a first sample base configured to hold a first substrate; a second sample base configured to hold a second substrate to oppose to the first substrate; a load transferring section coupled to an outer edge portion of the first sample base and configured to support the first sample base to a first stage; and a drive unit configured to perform pressure bonding on the first substrate and the second substrate by driving the second sample base to the first stage. In the wafer bonding apparatus, it is possible to prevent that a load which is larger than a load applied on the outer edge portion of the first substrate is applied to the center of the first substrate, and to apply uniform load the first substrate and the second substrate, when pressure bonding is performed on the first substrate and the second substrate.
L'invention porte sur un appareil de liaison de tranches qui comporte une première table d'échantillon pour maintenir un premier substrat ; une seconde table d'échantillon pour maintenir un second substrat tourné vers le premier substrat ; une section de transmission de charge, qui est liée à la périphérie de la première table d'échantillon et qui supporte la première table d'échantillon sur un premier étage ; et un appareil d'entraînement qui lie le premier substrat et le second substrat par pression par entraînement de la seconde table d'échantillon vers le premier étage. L'appareil de liaison de tranches empêche une charge supérieure à une charge appliquée à la périphérie du premier substrat d'être appliquée au centre du premier substrat au moment de la liaison par pression du premier substrat et du second substrat, et la charge est uniformément appliquée sur le premier substrat et le second substrat.
Mitsubishi Heavy Industries Ltd.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1922542