Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/687 (2006.01)

Patent

CA 2176362

A wafer heating chuck (10) includes a backplane (11) for mounting the wafer thereon. A rear surface of the backplane includes an outer annular recess (20) with an outer angled wall (22). An outer annular heater is located within the recess and has an outer surface complementarily angled with respect to the wall. An inner annular heater (30) resides inside the outer heater, adjacent therear surface. A clamping member secured to the backplane includes inner (26) and outer (36) retainers which separately clamp the inner and outer heaters, respectively, to the backplane to assure solid to solid contact for optimum heat transfer therebetween. Sensors (52, 54) sense backplane temperature at the inner and outer regions. Coolant is directed through channels (44) in the backplane and through channels in a cooling ring (70) secured to a backplane to influence the temperature of the backplane. A controller (80) connects to the heaters, the sensors and coolant supplies for temperature profiling to achieve temperature uniformity during processing for a wafer (12) mounted to the backplane of the heating chuck.

Un support chauffant (10) pour une tranche de silicium comprend une plaque d'appui (11) pour le montage d'une tranche de silicium. Une surface arrière de la plaque d'appui comprend un creux annulaire (20) avec une paroi externe à l'angle (22) Un élément chauffant annulaire externe se trouve à l'intérieur du creux et il a une surface externe avec un angle complémentaire à la paroi. Un élément de chauffage annulaire interne (30) se trouve à l'intérieur de l'élément de chauffage externe, jouxtant la paroi arrière. Un élément de serrage fixé à la plaque d'appui comprend des éléments de retenue internes (22) et externes (36) qui tiennent séparément les éléments chauffants interne et externe respectifs sur la plaque d'appui pour assurer un contact solide/solide permettant un transfert de chaleur optimum. Les détecteurs (52 54) détectent la température de la plaque d'appui dans les régions interne et externe. On dirige un réfrigérant par les canaux (44) dans la plaque d'appui et par des canaux dans un anneau refroidisseur (70) fixé à la plaque d'appui pour modifier la température de cette plaque. Une commande (80) relie les éléments chauffants, les détecteurs et l'alimentation en réfrigérant, pour assurer un profil de température permettant d'avoir une température uniforme durant les opérations de fabrication appliquées à la tranche de silicium (12) montée sur la plaque d'appui du support chauffant.

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