C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/00 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01)
Patent
CA 2362694
A wafer processing system for delivering a processing gas and an inert gas to a chamber which includes a CVD processing region having a plurality of gas flow paths for conveying the gases to the chamber and exhausting them from the chamber. A flow control system is coupled to each of the exhaust gas flow paths and each of the process gas exhaust flow paths is separately controlled to maintain a constant rate of flow within each of the gas flow paths, independent of the accumulation of deposition byproducts. Utilization of a self-cleaning orifice allows a pressure differential measurement in a process exhaust line to measure flow. The wafer processing system is provided with load and unload regions surrounding the chamber(s), each having additional inert gas exhaust flow paths. A flow characteristic, preferably pressure differential across an orifice, of the gases in each of these regions is measured and a flow control unit is selectively adjusted to maintain a substantially constant exhaust flow rate from each of the regions, in order to compensate for any pressure imbalance across the chamber due to internal (thermal load) or external (environmental) asymmetry that would degrade the performance of an APCVD system.
Ce système de traitement de plaquettes sert à acheminer un gaz de traitement et un gaz inerte dans une chambre qui comprend une région de traitement par dépôt chimique en phase vapeur, cette région présentant plusieurs trajets d'écoulement gazeux destinés à l'acheminement des gaz dans la chambre et à leur échappement à partir de celle-ci. On a couplé un système de commande d'écoulement à chaque trajet d'écoulement de gaz d'échappement, chaque trajet d'échappement de gaz de traitement étant commandé séparément afin de maintenir un débit constant d'écoulement dans chaque trajet, quelle que soit l'accumulation des sous-produits déposés. L'utilisation d'un orifice autonettoyant permet de mesurer un différentiel de pression dans une canalisation d'échappement de gaz de traitement, afin de mesurer l'écoulement de celui-ci. Ce système de traitement de plaquettes est doté de régions de chargement et déchargement entourant la (les) chambre(s), chaque région comportant des trajets supplémentaires d'échappement de gaz inerte. On mesure une caractéristique d'écoulement, de préférence un différentiel de pression à travers un orifice, des gaz présents dans chaque région et on règle une unité de commande d'écoulement de manière sélective afin de conserver un débit d'échappement constant à partir de chaque région, pour compenser tout déséquilibre de pression régnant dans la chambre par suite de l'asymétrie intérieure (charge thermique) ou extérieure (environnement) pouvant nuire aux performances d'un système de dépôt chimique en phase vapeur sous pression atmosphérique.
Bailey Robert Jeffrey
Bartholomew Lawrence Duane
Boland John Timothy
Ewald Robert Arthur
Silicon Valley Group Thermal Systems Llc
Smart & Biggar
LandOfFree
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