H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/193 (2006.01) H03F 1/48 (2006.01) H03F 19/00 (2006.01)
Patent
CA 2427379
Dual amplifying circuits having a magnetic tunnel junction device (MTS) and a field effect transistor (FET) configured in a complementing set are disclosed herein. In one embodiment, the field effect transistor (FET) is operable to control a current level of a current operating signal flowing through the magnetic tunnel junction device (MTS). In another embodiment, the magnetic tunnel junction device (MTS) is operable to control a voltage level of a voltage signal being applied to a gate terminal of the field effect transistor (FET). The gain-bandwidth product of both embodiments is greater than the individual gain-bandwidth products of the individual devices through the elimination of noise contributing resistive type circuit elements.
La présente invention concerne des circuits amplificateurs doubles comprenant un dispositif à jonction à effet tunnel magnétique et un transistor à effet de champ formant un ensemble complémentaire. Dans un mode de réalisation, le transistor à effet de champ peut fonctionner pour réguler le niveau d'intensité d'un signal d'intensité traversant le dispositif à jonction à effet tunnel magnétique. Dans un autre mode de réalisation, le dispositif à jonction à effet tunnel magnétique peut fonctionner pour réguler le niveau de tension d'un signal de tension appliqué à un terminal de grille du transistor à effet de champ. Le produit gain-largeur de bande des deux modes de réalisation est supérieur aux produits gain-largeur de bande individuels des dispositifs individuels grâce à la suppression du bruit affectant les éléments de circuit de type résistifs.
International Business Machines Corporation
Wang Peter
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1808570