Wiring board

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H - Electricity

01

L

H01L 23/12 (2006.01) H01L 21/58 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/14 (2006.01) H01L 23/495 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)

Patent

CA 2080814

A wiring board having a wiring circuit which is reliable and which can be easily miniaturized, which is used for the production of a highly integrated, lighter, thinner, shorter, smaller and low-cost semiconductor device. This wiring board can be sealed in a plastic package. It comprises a metal plate (1) and a thin-film dielectric layer (2) formed on the surface of the metal plate. A semiconductor device (8) is mounted on the surface of the dielectric layer (2) or the exposed surface of the metal plate (1). Film wirings (3), (4) and (5) are formed on the dielectric layer (2). Each film wiring is in the form of a laminate formed by laminating, by vapor phase deposition or by plating, an aluminum conductive layer, an adhesive layer of chromium, titanium or a laminate thereof, a diffusion barrier layer of nickel, copper or a laminate thereof, and a corrosion-preventive and wire bonding layer of gold. Such wirings may be in the form of a laminate formed by laminating an adhesive layer of chromium, aluminum, titanium or a laminate comprising at least two of them, a copper conductive layer, and a gold layer or a laminate formed by laminating an aluminum conductive layer, a barrier layer of nickel, and a gold layer. Since the film wirings can be miniaturized easily, the density of wirings can be increased. Also, since the wirings are made of aluminum or copper, they are cheap.

L'invention est une carte de câblage portant un circuit de câblage fiable et facilement miniaturisable qui est utilisée pour la production des dispositifs à semi-conducteur à très grande intégration et qui est peu coûteuse, plus légère, plus mince, plus courte et moins encombrante. Cette carte de connexion peut être encapsulée de plastique. Elle est constituée d'une plaque métallique (1) et d'une couche diélectrique mince (2) formée à la surface de cette plaque métallique. Un dispositif à semi-conducteur (8) est monté sur la couche diélectrique (2) ou sur la surface exposée de la plaque métallique (1). Des films de câblage (3), (4) et (5) sont formés sur la couche diélectrique (2). Chacun d'eux se présente sous la forme d'une couche obtenue par laminage, par dépôt en phase vapeur ou par placage, d'une couche conductrice d'aluminium, d'une couche adhésive de chrome, de titane ou d'un stratifié fait de ces métaux, d'une couche de diffusion de nickel, de cuivre ou d'un stratifié de ces métaux, et d'une couche d'or de protection contre la corrosion et de microconnexion. Ces films de câblage peuvent être obtenus par laminage d'une couche adhésive de chrome, d'aluminium, de titane ou de deux de ces métaux, d'une couche conductrice de cuivre et d'une couche d'or, ou par laminage d'une couche conductrice d'aluminium, d'une couche de diffusion faite de nickel et d'une couche d'or. Étant donné que les films de câblage peuvent être miniaturisés facilement, la densité des câblages peut être augmentée. De plus, étant faits d'aluminium et de cuivre, ces câblages sont peu coûteux.

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