X-ray detector

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 31/115 (2006.01) G01T 1/24 (2006.01) H01L 31/0304 (2006.01)

Patent

CA 2205506

A p-i-n semiconductor diode is provided that is useful for detecting X-ray radiation, wherein an i-type InGaN semiconductor layer (12) has a first surface portion (14) and a second surface portion, wherein a p-type semiconductor region (20) exists on this first surface portion (16), wherein an n-type semiconductor region (18) exists on this second surface portion (14), wherein a first electrical contact (24) is located on the p-type semiconductor region (20), and wherein a second electrical contact (24) is located on the n-type semiconductor region (18). In addition a multi-pixel X- ray detector array is provided wherein each pixel is constructed and arranged as stated above, and in which the above described first and second electrical contacts (24, 18) comprise the column and row pixel-interrogation conductors of the array.

L'invention concerne une diode à semi-conducteur de type p-i-n qui est utile pour détecter des rayons X. Dans cette diode, une couche de semi-conducteur (12) InGaN de type i représente une première partie de surface (16) et une seconde partie de surface (14). Sur la première partie de surface (16), se trouve une région de semi-conducteur (20) de type p et sur la seconde partie de surface (14) se trouve une région de semi-conducteur (18) de type n. La région de semi-conducteur (20) de type p comporte un premier contact électrique (24) et la région de semi-conducteur (18) de type n comporte un second contact électrique (22). En outre, l'invention concerne un réseau de détecteurs des rayons X à pixels multiples, où chaque pixel est conçu et réalisé comme indiqué et où les premier et second contacts électriques (24, 18) comprennent les conducteurs d'interrogation des pixels de colonnes et de rangées.

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