X-ray imaging apparatus and method using a flat amorphous...

H - Electricity – 04 – N

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H04N 5/30 (2006.01) A61B 6/00 (2006.01) G01T 1/20 (2006.01) G01T 1/29 (2006.01) G03B 42/00 (2006.01) H05G 1/26 (2006.01) H05G 1/44 (2006.01)

Patent

CA 2232381

An x-ray imaging apparatus receives an image-carrying x-ray beam (12) on a flat amorphous silicon imaging panel (20) with a light detector unit (40) disposed behind. The imaging panel is of a multilayered structure having sequentially a light-blocking layer (26) which is opaque to visible light but transmissive to x-rays, a converting layer of a phosphorescent material (98) for converting x-rays incident thereon into visible light, and a two- dimensional array of photosensitive elements (30) of an amorphous semiconductor material such as amorphous silicon, adapted to undergo a detectable change in electrical characteristic in response to impingement of light. The light detector unit (40) may be a simple light detector for receiving the light emitted from the converting layer and passed through regions between neighboring pairs of the array of photosensitive elements (30). Since the energy of light thus detected is directly proportional to the total light energy emitted from the converting layer, the output signal from such a light detector unit can be conveniently used for the exposure control of the imaging panel.

Un appareil d'imagerie radiologique reçoit un faisceau de rayons X portant une image (12) sur un écran plat au silicium amorphe (20), doté d'une unité de détection de lumière (40) placée derrière celui-ci. Ledit écran est une structure multicouche comprenant une couche arrêtant la lumière (26) qui est opaque à la lumière visible mais qui laisse passer les rayons X, une couche de conversion en matière phosphorescente (28) pour transformer les rayons X arrivant sur celle-ci en lumière visible, et un groupement bidimensionnel d'éléments photosensibles (30) en matière semi-conductrice amorphe tel que le silicium amorphe, conçu pour subir un changement détectable de caractéristiques électriques en réaction à l'incidence de la lumière. L'unité de détection de lumière (40) peut être un détecteur de lumière simple conçu pour recevoir la lumière émise par la couche de conversion, passant à travers des zones situées entre les paires voisines du groupement d'éléments photosensibles (30). Etant donné que l'énergie lumineuse ainsi détectée est directement proportionnelle à l'énergie lumineuse totale émise par la couche de conversion, le signal de sortie provenant dudit détecteur de lumière peut être utilisé de manière appropriée pour la commande de l'exposition de l'écran.

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