H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/0296 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/105 (2006.01) H01L 31/107 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
Patent
CA 2396325
A blue-violet-near-ultraviolet pin-photodiode with small dark current, high reliability and long lifetime. The pin-photodiode has a metallic n-electrode, a n-ZnSe single crystal substrate, an optionally added n-ZnSe buffer layer, an n-Zn1-x Mg x S y Se1-y layer, an i-Zn 1-x Mg x S y Se1-y layer, a p-Zn1-x Mg x S y Se1-y layer, a p-(ZnTe/ZnSe)m SLE, a p-ZnTe contact layer, an optionally provided antireflection film and a metallic p- electrode. A blue-violet-near-ultraviolet avalanche photodiode with small dark current, high reliability and long lifetime. The avalanche photodiode has a metallic n- electrode, a n-ZnSe single crystal substrate, an optionally added n-ZnSe buffer layer, an n-Zn1-x Mg x S y Se1-y layer, an i-Zn1-x Mg x S y Se1-y layer, a p-Zn1-x Mg x S y Se1-y layer, a p- (ZnTe/ZnSe)m SLE, a p-ZnTe contact layer, an optionally provided antireflection film and a metallic p- electrode. Upper sides of the layered structure are etched into a mesa-shape and coated with insulating films.
L'invention concerne un photodiode pin bleu-violet-proche ultraviolet à faible courant d'obscurité, à haute fiabilité et de longue durée. Le photodiode pin comporte une électrode n- métallique, un substrat monocristallin n-ZnSe, une couche tampon n-ZnSe éventuellement ajoutée, une couche n-Zn1-x Mg x S y Se1-y, une couche i-Zn 1-x Mg x S y Se1-y, une couche p-Zn1-x Mg x S y Se1-y, un SLE p-(ZnTe/ZnSe)m, une couche de contact p-ZnTe, un film antireflet éventuellement fourni et une électrode p- métallique. L'invention concerne également un photodiode à avalanche bleu-violet-proche ultraviolet à faible courant d'obscurité, à haute fiabilité et de longue durée. Le photodiode à avalanche comporte une électrode n- métallique, un substrat monocristallin n-ZnSe, une couche tampon n-ZnSe éventuellement ajoutée, une couche n-Zn1-x Mg x S y Se1-y, une couche i-Zn 1-x Mg x S y Se1-y, une couche p-Zn1-x Mg x S y Se1-y, un SLE p-(ZnTe/ZnSe)m, une couche de contact p-ZnTe, un film antireflet éventuellement fourni et une électrode p- métallique. Les côtés supérieurs de la structure stratifiée ont une forme mésa par gravure et sont revêtus de films isolants.
Ando Koshi
Nakamura Takao
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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