Mask programmable anti-fuse architecture

Details Mask programmable anti-fuse architecture Mask programmable anti-fuse architecture

G - Physics

11

C

G11C 17/14 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01)

Patent

CA 2645813

A memory array having both mask programmable and one-time programmable memory cells connected to the wordlines and the bitlines. All memory cells of the memory array are configured as one-time programmable memory cells. Any number of these one-time programmable memory cells are convertible into mask programmable memory cells through mask programming, such as diffusion mask programming or contact/via mask programming. Manufacturing of such a hybrid memory array is simplified because both types of memory cells are constructed of the same materials, therefore only one common set of manufacturing process steps is required. Inadvertent user programming of the mask programmable memory cells is inhibited by a programming lock circuit.

L'invention concerne un réseau de mémoires qui comprend à la fois des cellules de mémoire programmables une seule fois et des cellules de mémoire programmables par masque reliées à des lignes de mot et à des lignes de bit. Toutes les cellules de mémoire du réseau de mémoires sont configurées pour être programmables une seule fois. Un nombre quelconque de ces cellules de mémoire programmables une seule fois peuvent être converties en cellules de mémoire programmables par masque par programmation par masque, tel que la programmation par masque de diffusion ou par programmation par masque ou par contact. La fabrication d'un tel réseau de mémoires hybrides est simplifiée car les deux types de cellules de mémoire sont construites à partir des mêmes matériaux, par conséquent seul un ensemble commun d'étapes de traitement de fabrication est nécessaire. Une programmation utilisateur involontaire des cellules de mémoire programmables par masque est inhibée par un circuit de verrouillage de programmation.

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