H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/042 (2006.01)
Patent
CA 2756857
Embodiments of the invention generally relate to epitaxial lift off (ELO) films and methods for producing such films. Embodiments provide a method to simultaneously and separately grow a plurality of ELO films or stacks on a common support substrate which is tiled with numerous epitaxial growth substrates or surfaces. Thereafter, the ELO films are removed from the epitaxial growth substrates by an etching step during an ELO process. The tiled growth substrate contains the epitaxial growth substrates disposed on the support substrate may be reused to grow further ELO films. In one embodiment, a tiled growth substrate is provided which includes two or more gallium arsenide growth substrates separately disposed on a support substrate having a coefficient of thermal expansion within a range from about 5 10 -6 C- 1 to about 9 10 -6 C-1.
Les modes de réalisation de la présente invention concernent de manière générale des films de retrait épitaxial (ELO) et des procédés pour la production de tels films. Des modes de réalisation ont pour objet un procédé pour faire croître simultanément et séparément une pluralité de films ou de piles ELO sur un substrat de support commun qui est recouvert avec de nombreux substrats ou surfaces de croissance épitaxiale. Par la suite, les films ELO sont retirés des substrats de croissance épitaxiale par une étape de gravure pendant un procédé ELO. Le substrat de croissance recouvert contient les substrats de croissance épitaxiale disposés sur le substrat de support et peut être réutilisé pour faire croître d'autres films ELO. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un substrat de croissance recouvert qui comprend deux substrats de croissance d'arséniure de gallium ou plus disposés séparément sur un substrat de support ayant un coefficient d'expansion thermique compris dans une gamme allant d'environ 5 10-6 C-1 à environ 9 10-6 C-1.
He Gang
Hegedus Andreas G.
Alta Devices Inc.
Borden Ladner Gervais Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1344646