Method and apparatus for ion beam neutralization

Details Method and apparatus for ion beam neutralization Method and apparatus for ion beam neutralization

H - Electricity

01

J

H01J 27/00 (2006.01) H01J 37/02 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/425 (2006.01)

Patent

CA 2210383

Method and apparatus for maintaining an ion beam (14) along a beam path from an ion source (12) to an ion implantation station (16) where workpieces are treated with the ion beam. An ion beam neutralizer (44) is positioned upstream from the ion treatment station and includes confinement structure (120) which bounds the ion beam path. An electron source (126) positioned within the confinement structure emits electrons into the ion beam. An array of magnets (124) supported by the confinement structure creates a magnetic field which tends to confine the electrons moving within the confinement structure. An interior magnetic filter field is created inside the confinement structure by a plurality of axially elongated filter rods (208) having encapsulated magnets (224) bounding the ion beam and oriented generally parallel to the ion beam path. This interior magnetic field confines higher energy electrons (300) from leaving the ion beam path and permits lower energy electrons (301) to drift along the ion beam.

L'invention est constituée par une méthode et un appareil servant à stabiliser le trajet d'un faisceau ionique (14) entre une source d'ions (12) et une station d'implantation d'ions (16) où des pièces sont traitées avec le faisceau en question. Un neutraliseur de faisceau ionique (44) est monté en amont de la station de traitement ionique et comporte une structure de confinement (101) qui restreint le trajet du faisceau. Une source d'électrons (126) placée dans la structure de confinement injecte des électrons dans le faisceau d'ions. Un réseau d'aimants (126) supporté par la structure de confinement crée un champ magnétique qui tend à confiner les électrons qui se déplacent dans la structure de confinement. Un champ magnétique est créé dans cette structure par une pluralité de tiges de filtrage (208) dotées d'aimants encapsulés (224) généralement orientés parallèlement au trajet du faisceau d'ions qui limitent l'étalement de ce dernier. Ce champ magnétique interne empêche les électrons de grande énergie (300) de quitter le trajet du faisceau d'ions et permet aux électrons de faible énergie (301) de dériver avec le faisceau d'ions.

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