Surface acoustic wave element

Details Surface acoustic wave element Surface acoustic wave element

H - Electricity

03

H

H03H 9/25 (2006.01) H03H 9/02 (2006.01)

Patent

CA 2401050

A surface acoustic wave element suitable for mass-production, and excellent in operation characteristics in a high frequency region, the element comprising a diamond layer (3), a tz-thick ZnO layer (4) formed on the diamond layer (3), interdigital electrodes (5) formed on the ZnO layer (4), for exciting and receiving a surface acoustic wave, and a tS-thick SiO2 layer (6) covering the interdigital electrodes (5) and formed on the ZnO layer (4), wherein kh1 and kh2 given by kh1 = 3.2 .pi..(tz / .lambda.), kh2 = 3.2 .pi..(tS / .lambda.) are given in a constant numeric value range (.lambda.; wavelength of secondary- mode surface acoustic wave), and a triple harmonics of an excited second-mode surface acoustic wave is used.

L'invention concerne un élément à onde acoustique de surface, adapté à la production de masse, dont les caractéristiques opérationnelles sont excellentes dans une zone de haute fréquence. Cet élément comprend une couche de diamant (3), une couche ZnO (4) d'épaisseur tz appliquée sur la couche de diamant (3), des électrodes (5) interdigitales situées sur la couche ZnO (4) pour exciter et recevoir une onde acoustique de surface, et une couche SiO¿2? (6) d'épaisseur tS couvrant les électrodes (5) interdigitales et appliquée sur la couche ZnO (4). Selon l'invention, kh1 = 3.2 .pi.. (tz / .lambda.) et kh2 = 3.2 .pi.. (tS / .lambda.) sont indiqués dans une échelle de valeurs numériques constante (.lambda. étant la longueur d'une onde acoustique de surface de mode secondaire), et un triple harmonique d'une onde acoustique de surface de mode secondaire excitée est utilisé.

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