H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/07 (2006.01) H01L 29/735 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01)
Patent
CA 2271313
The invention relates to a semiconductor device and a method in this device, wherein the semiconductor device operates completely or partly in lateral extension. The semiconductor device comprises at least two high-voltage lateral bipolar transistors with at least two mutually opposite emitter/base regions, which are placed at the surface of the epi-taxial layer at a mutual distance such that an intermediate common collector region is formed. The common collector region can be completely depleted when the device has a voltage applied and by using a lateral depletion of said collector region, the voltage durability of the semiconductor device can be determined lithographically by the distance between the doped regions comprised in the device. Furthermore, undesired parasitic components, which are dependent on the quality of the active layer of the device, resistivity and substrate potential, can be eliminated or suppressed.
L'invention concerne un composant à semi-conducteur et un procédé correspondant, ce composant à semi-conducteur fonctionnant entièrement ou partiellement en extension latérale. Ce composant à semi-conducteur est composé d'au moins deux transistors bipolaires latéraux haute tension comportant au moins deux zones d'émission et de base opposées l'une à l'autre et placées à la surface de la couche épitaxiale à distance réciproque, de façon à créer une zone intermédiaire commune collectrice. Cette dernière peut être complètement appauvrie quand on applique une tension au composant ou qu'on met en application un appauvrissement latéral de ladite zone, la potentialité de durée de la tension de ce composant à semi-conducteur pouvant être déterminée de façon lithographique par la distance entre les zones dopées que le composant comporte. De plus, on peut éliminer ou supprimer les composantes parasites indésirables dépendant de la qualité de la couche active du composant, de sa résistance et du potentiel de son substrat.
Infineon Technologies Ag
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1372549