Atmospheric pressure plasma etching reactor

Details Atmospheric pressure plasma etching reactor Atmospheric pressure plasma etching reactor

H - Electricity

01

L

H01L 21/00 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)

Patent

CA 2440328

An atmospheric pressure plasma etching reactor (10) has a table (11) holding a wafer (12) to be processed and which moves the wafer to be processed under at least one electrode (14) that is mounted in close proximity to the table (11) and defines an entry (18) of a gas mixture. With a radio-frequency voltage connected between the table (11) and the at least one electrode (14), a plasma is created between the at least one electrode (14) and the wafer (12) to be processed while the wafer (12) to be processed moves under the at least one electrode (14) by the table (11).

La présente invention concerne un réacteur de gravure au plasma (10) à la pression atmosphérique présentant une table (11) portant une plaquette (12) à traiter et qui déplace la plaquette à traiter sous au moins une électrode (14) qui est montée à proximité de la table (11) et définit une entrée (18) d'un mélange gazeux. Grâce à une tension aux fréquences radioélectriques reliée entre la table (11) et ladite au moins une électrode (14), un plasma est généré entre ladite au moins une électrode (14) et la plaquette (12) à traiter pendant que la plaquette (12) à traiter est entraînée sous la dite au moins une électrode (14) par la table (11).

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