Reference voltage generator for dynamic random access memory

Details Reference voltage generator for dynamic random access memory Reference voltage generator for dynamic random access memory

G - Physics

11

C

G11C 5/00 (2006.01) G05F 3/24 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) G11C 11/4099 (2006.01)

Patent

CA 2096627

A reference voltage generator can provide RAMs (random access memories) with a reference voltage (generally mid-way between a supply voltage and a common potential), with improved follower characteristics. When the supply voltage and/or the load condition of the RAMs are significantly altered, the reference voltage is rapidly adjusted by dynamic switching FETs, being pulled down or up. Under balanced conditions when essentially no current flows in the switching FETs, overall power consumption is low.

n générateur de tension de référence peut fournir à des RAM (mémoires à accès direct) une tension de référence (généralement à mi-chemin entre une tension d'alimentation et un potentiel commun), avec des caractéristiques de suiveur améliorées. Quand la tension d'alimentation et(ou) la condition de charge des RAM sont sensiblement modifiées, la tension de référence est rapidement ajustée par des FET à commutation dynamique, soit au niveau de la masse, soit au niveau de la source. Dans des conditions équilibrées, lorsqu'il ne passe essentiellement pas de courant dans les FET, la consommation globale d'énergie est faible.

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