G - Physics – 21 – K
Patent
G - Physics
21
K
G21K 4/00 (2006.01) H01L 21/26 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01)
Patent
CA 2233816
In a method of fabricating a high resolution low voltage flat panel radiation imaging sensor having a radiation transducer having a radiation conversion layer of amorphous semiconductor and an electrode on one side thereof and an array of pixels arranged in rows and columns on an opposite side thereof, each pixel including a pixel electrode and storage capacitor and a charge readout device connected to the pixel electrode and the storage capacitor, the improvement comprising the step of shining light on selected regions of the radiation conversion layer which are aligned with the pixel electrodes to thereby crystallize the regions, resulting in a plurality of low resistivity and high charge mobility crystallized regions where the semiconductor material has been exposed to the light surrounded by high resistivity and low charge mobility regions where the semiconductor material has not been exposed to the light, for preventing lateral charge diffusion between respective ones of the low resistivity and high charge mobility regions.
L'invention est une méthode améliorée de fabrication de capteurs de rayonnement d'imagerie plats à faible tension et à haute définition qui utilisent un transducteur à rayonnement ayant une couche de conversion de rayonnement faite d'un semi-conducteur amorphe et une électrode placée sur l'une des surfaces de cette couche, ainsi qu'un réseau de pixels disposés en lignes et en colonnes sur la surface opposée de cette couche, chacun des pixels incluant une électrode et un condensateur de stockage et un détecteur de charge étant connecté à cette électrode et à ce condensateur. L'amélioration de l'invention est constituée par le fait que la lumière est projetée sur des régions sélectionnées de la couche de conversion qui sont alignées avec les électrodes des pixels pour cristalliser ces régions, ce qui produit une pluralité de régions cristallisées à faible résistivité où les charges ont une grande mobilité aux endroits où le matériau semi-conducteur a été exposé à la lumière, ces régions étant entourées de régions qui n'ont pas été exposées à la lumière où la résistivité est grande et où les charges ont une faible mobilité, pour empêcher la diffusion latérale des charges entre les diverses régions à faible résistivité où les charges ont une grande mobilité.
Ifire Technology Inc.
Litton Systems Canada Limited
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1426318