H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 47/00 (2006.01) G11C 11/00 (2006.01) G11C 27/00 (2006.01) G11C 29/00 (2006.01) H01L 31/0328 (2006.01)
Patent
CA 2538142
Multi-terminal chalcogenide memory cells having multiple binary or non-binary bit storage capacity and methods of programming same. The memory cells include a pore region (210) containing a chalcogenide material along with three or more electrical terminals (240, 250 and 260) in electrical communication therewith. The configuration of terminals delineates spatially distinct regions of chalcogenide material that may be selectively and independently programmed to provide multibit storage. The application of an electrical signal (e.g. electrical current or voltage pulse) between a pair of terminals effects a structural transformation in one of the spatially distinct portions of chalcogenide material. Application of electrical signals to different pairs of terminals within a chalcogenide device effects structural transformations in different portions of the chalcogenide material. The structural states produced by the structural transformations may be used for storage of information values in a binary or non-binary (e.g. multilevel) system.
L'invention concerne des cellules de mémoire à base de chalcogénure à plusieurs bornes présentant une capacité de stockage de plusieurs bits binaires ou non binaires ainsi que des procédés de programmation desdites cellules. Les cellules de mémoire comprennent une zone poreuse contenant un chalcogénure ainsi qu'au moins trois bornes électriques en communication électrique avec cette dernière. La configuration des bornes délimite des zones spatialement distinctes de chalcogénure qui peuvent être sélectivement et indépendamment programmées pour assurer un stockage de plusieurs bits. L'application d'un signal électrique (par exemple, courant électrique ou impulsion de tension) entre une paire de bornes entraîne une transformation structurelle dans une partie de la pluralité de parties spatialement distinctes du chalcogénure. L'application de signaux électriques sur différentes paires de bornes à l'intérieur d'un dispositif à base de chalcogénure entraîne des transformations structurelles dans différentes parties du chalcogénure. Les états structurels produits par les transformations structurelles peuvent être utilisés pour le stockage de valeurs d'information dans un système binaire ou non binaire (par exemple, multiniveau). La sélection de bornes permet la programmation sélective de parties spécifiques et distinctes dans un volume continu de chalcogénure, chaque partie programmée de manière sélective permettant le stockage d'un bit binaire ou non binaire unique. Dans des dispositifs présentant au moins trois bornes, au moins deux parties programmables de manière sélective sont présentes dans le volume de chalcogénure occupant la région poreuse et le stockage de plusieurs bits est ainsi obtenu. La présente invention concerne également des procédés de programmation de cellules de mémoire à base de chalcogénure présentant au moins trois bornes destinées au stockage de plusieurs bits d'information dans des systèmes binaires ou non binaires.
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1438092