H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/76 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
Patent
CA 2364975
This invention relates generally to a method of trench isolation used in the fabrication of semiconductor devices, wafers and the like. More specifically, the present invention related to a method of trench isolation using chemical vapor deposition (CVD) with TEOS and ozone to deposit a trench fill oxide prior to growing a thermal oxide layer or liner on sidewalls of the trench. The method provides void-free as-deposited dielectric CVD films into gaps or trenches with non-vertical, vertical and or re-entrant profiles.
D'une manière générale, l'invention concerne un procédé d'isolation par tranchée utilisée dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteur, de plaquettes de semi-conducteur et analogues. D'une manière plus spécifique, l'invention concerne un procédé d'isolation par tranchée faisant appel à la technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avec du TEOS et de l'ozone afin de déposer un oxyde de remplissage de tranchée avant de faire pousser une couche ou un revêtement d'oxyde thermique sur les parois latérales de la tranchée. Ce procédé permet d'obtenir des films CVD diélectriques dépourvus de vide à l'état brut de dépôt dans des espacements ou tranchées présentant des profils non verticaux, verticaux et ou rentrants.
Curtis Todd O.
Kapkin Kerem
Rao Vivek
Silicon Valley Group Thermal Systems Llc
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1453630