C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/505 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
Patent
CA 2517598
The inventive method for depositing silicon onto a substrate firstly involves the introduction of a reactive silicon-containing gas and hydrogen into the plasma chamber and then the initiation of the plasma. After initiating the plasma, only reactive silicon-containing gas or a gas mixture containing hydrogen is supplied to the plasma chamber in an alternatively continuous manner, and the gas mixture located inside the chamber is, at least in part, simultaneously withdrawn from the chamber. From the start, homogeneous microcrystalline silicon is deposited onto the substrate in the presence of hydrogen.
L'invention concerne un procédé de dépôt de silicium sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste à placer dans un premier temps dans la chambre à plasma de l'hydrogène et un gaz réactif contenant du silicium, puis à démarrer le plasma. Après le démarrage du plasma, la chambre à plasma est alimentée en alternance de façon continue uniquement en gaz réactif contenant du silicium ou en mélange gazeux contenant également de l'hydrogène, le mélange gazeux présent dans la chambre étant simultanément évacué de celle-ci au moins en partie. Un dépôt de silicium microcristallin est ainsi effectué de façon homogène sur le substrat depuis le début en présence d'hydrogène.
Rech Bernd
Roschek Tobias
Forschungszentrum Juelich Gmbh
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1455807