Monitoring signal-to-noise ratio in x-ray diffraction data

Details Monitoring signal-to-noise ratio in x-ray diffraction data Monitoring signal-to-noise ratio in x-ray diffraction data

G - Physics

01

N

G01N 23/207 (2006.01)

Patent

CA 2492543

The present invention relates to methods of diffractometrically determining the structures of materials by characterizing their electron density distributions (figure 2). More particularly, the present invention relates to methods of collecting, processing and interpreting X-ray diffraction data, which allow real time evaluation of the signal-to-noise ratio in crystal diffraction experiments (figure 1A-1D). The present methods related to the derivation of statistical indices for monitoring and evaluating signal-to- noise ratios in diffraction experiments. In addition, the present invention provides methods of determining the electron density distributions of crystals using anomalous scattering signals corrected for noise. Further, the present invention provides methods of increasing the signal-to-noise ratios in X-ray diffraction data.

La présente invention concerne des procédés permettant de déterminer par diffractométrie les structures de matériaux par caractérisation de leurs cartes de densité électronique. La présente invention concerne plus particulièrement des procédés permettant de collecter, de traiter et d'interpréter des données de diffraction des rayons X, et, ainsi, d'évaluer le rapport signal sur bruit en temps réel dans des expériences de diffraction cristalline. Les procédés actuels consistent à dériver des indices statistiques pour contrôler et évaluer les rapports signal sur bruit dans des expériences de diffraction. La présente invention concerne également des procédés permettant de déterminer les cartes de densité électronique de cristaux à partir de signaux à diffusion anormale débruités. La présente invention concerne enfin des procédés permettant d'augmenter les rapports signal sur bruit dans des données de diffraction des rayons X.

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