G - Physics – 02 – F
Patent
G - Physics
02
F
G02F 2/02 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 29/16 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2178324
Porous semiconductor material in the form of crystalline silicon (12) is produced with a porosity in exccess of 90 %, and voids, crazing and peeling of the material are substantially by scanning electron microscopy at a magnification of 7,000. The material (12) is prepared by anodization of a silicon wafer (10) to produce porous silicon, followed by etching of the porous silicon to produce pore overlap defining silicon quantum wires. After etching, the porous silicon is dried by supercritical drying. The resulting material has good properties together with good morphology and crystallinity.
L'invention se rapporte à un matériau semiconducteur poreux se présentant sous la forme de silicium cristallin (12) et qui possède une porosité supérieure à 90 %, et dans lequel des vides, un fissurage et un écaillage ne peuvent pratiquement pas être discernés lors d'une observation au microscope électronique à un grossissement de 7000. Le matériau (12) est préparé par anodisation d'une tranche de silicium (10) afin d'obtenir un silicium poreux, puis par attaque chimique du silicium poreux afin d'obtenir un chevauchement des pores formant des fils quantiques de silicium. Après l'attaque chimique, le silicium poreux est séché par un procédé de séchage surcritique. Le matériau obtenu possède de bonnes propriétés de luminescence ainsi qu'une bonne morphologie et une bonne cristallinité.
Fetherstonhaugh & Co.
Qinetiq Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1490620