H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/45 (2006.01) H03F 1/08 (2006.01)
Patent
CA 2102721
An improved differential gain stage for use in a bipolar monolithic integrated circuit comprising a substrate formed from a semiconductor, the differential gain stage including a first transistor having input, output and control terminals, and a second transistor having input, output and control terminals, the control terminal of the first transistor being coupled to the control terminal of the second transistor, the input terminal of the first transistor forming a non-inverting input for the gain stage and the output terminal providing an inverting output for the gain stage, and the input terminal of the second transistor forming an inverting input for the gain stage and the output terminal providing a non-inverting output for the gain stage. The differential gain stage having a capacitor stage comprising: (a) a peaking capacitor having first and second terminals and being coupled between the control terminals of the first and second transistors; (b) first and second capacitor means located at a first spaced relationship from the substrate and the first capacitor means being coupled to the control terminal of the first transistor and the second capacitor means being coupled to the control terminal of the second transistor; (c) third and fourth capacitor means located at a second spaced relationship from the substrate and the third capacitor means being connected to the first capacitor means and the connection forming a first node and the fourth capacitor means being connected to the second capacitor means and the connection forming a second node; (d) first buffer means having an input connected to the non-inverting input of the gain stage and an output connected to the first node;and (e) second buffer means having an input connected to the inverting input of the gain stage and an output connected to the second node.
Étage à gain différentiel pour circuit intégré monolithique bipolaire. Comprend : un substrat formé à partir d'un semiconducteur, l'étage à gain différentiel comprenant un premier transistor ayant des bornes d'entrée, de sortie et de commande, et un deuxième transistor ayant des bornes d'entrée, de sortie et de commande, la borne de commande du premier transistor étant couplée à la borne de commande du deuxième transistor. La borne d'entrée du premier transistor constitue une entrée non inverseuse pour l'étage à gain, la borne de sortie constituant une sortie inverseuse pour l'étage à gain. La borne d'entrée du deuxième transistor constitue une entrée inverseuse pour l'étage à gain, la borne de sortie constituant une sortie non inverseuse pour l'étage à gain. L'étage à gain différentiel a un étage capacitif comprenant : (a) un condensateur de correction ayant une première et une deuxième bornes, couplé aux bornes de commande du premier et du deuxième transistors; (b) un premier et un deuxième dispositifs capacitifs situés à une première distance du substrat, le premier dispositif capacitif étant couplé à la borne de commande du premier transistor et le deuxième dispositif capacitif étant couplé à la borne de commande du deuxième transistor; (c) un troisième et un quatrième dispositifs capacitifs situés à une deuxième distance du substrat, le troisième dispositif capacitif étant connecté au premier dispositif capacitif, la connexion constituant un premier noeud, et le quatrième dispositif capacitif étant connecté au deuxième dispositif capacitif, la connexion constituant un deuxième noeud; (d) un premier dispositif tampon ayant une entrée connectée à l'entrée non inverseuse de l'étage à gain et une sortie connectée au premier noeud; et (e) un deuxième circuit tampon ayant une entrée connectée à l'entrée inverseuse de l'étage à gain et une sortie connectée au deuxième noeud.
Bereskin & Parr
Gennum Corporation
LandOfFree
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