H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/01 (2006.01) H01L 23/367 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
Patent
CA 2465162
A semiconductor device is fabricated in a silicon on insulator ~SOI~ substrate including a supporting silicon substrate (10), a silicon oxide layer supported by the substrate, and a silicon layer overlying the silicon oxide layer. An electrical component is fabricated in the silicon layer over a portion of the silicon oxide layer (12), and then the substrate opposite from the component is masked and etched. A metal layer (20) is then formed in the portion of the substrate which has been removed by etching with the metal layer providing heat removal from the component. In an alternative embodiment, the silicon oxide layer overlying the portion of the substrate is removed with the metal layer abutting the silicon layer. In fabricating the device, preferential etching is employed to remove the silicon in the substrate with the silicon oxide functioning as an etchant stop. A two step process can be employed including a first oxide etch to etch the bulk of the silicon and then a more selective but slower etch. Then, the exposed silicon oxide can then be removed, as in the alternative embodiment, by a preferential etchant of silicon oxide.
L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs fabriqué dans un substrat de silicium sur isolant (SOI) et comprenant un substrat de support en silicium, une couche d'oxyde de silicium supportée par le substrat et une couche de silicium recouvrant la couche d'oxyde de silicium. Un composant électrique est fabriqué dans la couche de silicium sur une partie de la couche d'oxyde de silicium, et le substrat opposé au composé est ensuite masqué et attaqué chimiquement. Une couche métallique est ensuite formée dans la partie du substrat qui a été éliminée par attaque chimique, la couche métallique permettant l'élimination de la chaleur du composant. Selon un autre mode de mise en oeuvre, on retire la couche d'oxyde de silicium recouvrant la parie du substrat au moyen de la couche métallique adjacente. On a recours, de préférence, à l'attaque chimique pour éliminer le silicium dans le substrat, l'oxyde de silicium agissant comme bloqueur de l'agent d'attaque chimique. On peut effectuer un processus d'attaque chimique en deux étapes, la première consistant à attaquer d'abord l'oxyde pour attaquer le substrat de silicium, et la seconde, à procéder à une attaque plus sélective, mais plus lente. On peut ensuite, dans un autre mode de mise en oeuvre, éliminer l'oxyde de silicium exposé au moyen d'un agent d'attaque chimique préféré.
Cassan Maclean
Cree Microwave Inc.
Cree Microwave Llc
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1531485