H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01)
Patent
CA 2468520
A nitride based heterojunction transistor includes a substrate and a first Group III nitride layer, such as an AlGaN based layer, on the substrate. The first Group III-nitride based layer has an associated first strain. A second Group III-nitride based layer, such as a GaN based layer, is on the first Group III-nitride based layer. The second Group III-nitride based layer has a bandgap that is less than a bandgap of the first Group III-nitride based layer and has an associated second strain. The second strain has a magnitude that is greater than a magnitude of the first strain. A third Group III-nitride based layer, such as an AlGaN or AlN layer, is on the GaN layer. The third Group III- nitride based layer has a bandgap that is greater than the bandgap of the second Group III-nitride based layer and has an associated third strain. The third strain is of opposite strain type to the second strain. A source contact, a drain contact and a gate contact may be provided on the third Group III-nitride based layer. Nitride based heterojunction transistors having an AlGaN based bottom confinement layer, a GaN based channel layer on the bottom confinement layer and an AlGaN based barrier layer on the channel layer, the barrier layer having a higher concentration of aluminum than the bottom confinement layer, are also provided. Methods of fabricating such transistor are also provided.
Un transistor basé sur une hétérojonction de nitrures comprend un substrat et une première couche de nitrures du groupe III telle qu'une couche basée sur AlGaN, sur ledit substrat. A la première couche basée sur les nitrures du groupe III est associée une première tension. Une deuxième couche basée sur les nitrures du groupe III, telle qu'une couche basée sur GaN, est disposée sur la première couche basée sur les nitrures du groupe III. La deuxième couche basée sur les nitrures du groupe III possède une structure de bande inférieure à une structure de bande de la première couche basée sur les nitrures du groupe III; une deuxième tension y est associée. La deuxième tension possède une amplitude supérieure à celle de la première tension. Une troisième couche basée sur les nitrures du groupe III, telle qu'une couche AlGaN ou AlN, est sur la couche GaN. La troisième couche basée sur les nitrures du groupe III possède une structure de bande supérieure à la structure de bande de la deuxième couche basée sur les nitrures du groupe III, et une troisième tension y est associée. La troisième tension est du type de tension opposée à celui de la deuxième tension. Un contact de source, un contact de drain et un contact de gâchette peuvent être aménagés sur la troisième couche basée sur les nitrures du groupe III. L'invention concerne aussi des transistors basés sur une hétérojonction de nitrures possédant une couche de confinement du bas, basée sur AlGaN, une couche canal basée sur GaN sur la couche de confinement de base, et une couche barrière basée sur AlGaN sur la couche canal, la couche barrière possédant une plus grande concentration d'aluminium que la couche de confinement du bas, de même que des procédés de fabrication de ce transistor.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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