C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01)
Patent
CA 2657929
This invention relates to a method for depositing silicon carbide material onto a substrate such that the resulting substrate has a carrier lifetime of 0.5 -1000 microseconds, the method comprising a. introducing a gas mixture comprising a chlorosilane gas, a carbon- containing gas, and hydrogen gas into a reaction chamber containing a substrate; and b. heating the substrate to a temperature of greater than 1000 °C but less than 2000 °C; with the proviso that the pressure within the reaction chamber is maintained in the range of 0.1 to 760 torr. This invention also relates to a method for depositing silicon carbide material onto a substrate such that the resulting substrate has a carrier lifetime of 0.5 -1000 microseconds, the method comprising a. introducing a gas mixture comprising a non-chlorinated silicon- containing gas, hydrogen chloride, a carbon-containing gas, and hydrogen gas into a reaction chamber containing a substrate; and b. heating the substrate to a temperature of greater than 1000 °C but less than 2000 °C; with the proviso that the pressure within the reaction chamber is maintained in the range of 0.1 to 760 torr.
La présente invention concerne un procédé de dépôt de matériau de carbure de silicium sur un substrat de façon que le substrat obtenu présente une durée de vie de porteurs comprise entre 0,5 et 1000 microsecondes. Ce procédé consiste : (a) à introduire un mélange gazeux comprenant un gaz de chlorosilane, un gaz contenant du carbone et un gaz d'hydrogène dans une chambre de réaction contenant un substrat; et (b) à faire chauffer le substrat à une température supérieure à 1000°C mais inférieure à 2000 °C, la pression à l'intérieur de la chambre de réaction étant maintenue entre 0,1 et 760 torrs. Cette invention concerne également un procédé de dépôt de matériau de carbure de silicium sur un substrat de façon que le substrat obtenu présente une durée de vie de porteurs comprise entre 0,5 et 1000 microsecondes. Ce procédé consiste : (a) à introduire un mélange gazeux comprenant un gaz contenant du silicium non chloré, du chlorure d'hydrogène, un gaz contenant du carbone et un gaz d'hydrogène dans une chambre de réaction contenant un substrat; et (b) à faire chauffer le substrat à une température supérieure à 1000°C mais inférieure à 2000 °C, la pression à l'intérieur de la chambre de réaction étant maintenue entre 0,1 et 760 torrs.
Chung Gilyong
Loboda Mark
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Dow Corning Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1537730