H - Electricity – 01 – F
Patent
H - Electricity
01
F
H01F 1/14 (2006.01) G11B 5/00 (2006.01) G11B 5/127 (2006.01) G11B 5/33 (2006.01) H01F 1/00 (2006.01) H01F 1/03 (2006.01) H01F 1/147 (2006.01) H01F 1/22 (2006.01) H01F 10/00 (2006.01) H01F 41/18 (2006.01) G11B 5/008 (2006.01) G11B 5/012 (2006.01) G11B 5/39 (2006.01)
Patent
CA 2341857
A magnetoresistive material with two metallic magnetic phases. The material exhibits the giant magnetoresistance effect (GMR). A first phase of the material includes a matrix of an electrically conductive ferromagnetic transition metal or an alloy thereof. A second precipitate phase exhibits ferromagnetic behavior when precipitated into the matrix and is antiferromagnetically exchange coupled to the first phase. The second precipitate phase can be electrically conductive rare earth pnictide or can be a Heusler alloy. A method of manufacturing magnetoresistive materials according to the present invention employs facing targets magnetron sputtering. The invention also includes a method of detecting magnetic field strength by providing a read head including a portion of one of the magnetoresistive materials according to the invention, exposing the read head to the magnetic field of a magnetic recording medium, sensing electrical resistivity of the portion of material associated with the magnetic field of the magnetic recording medium, and converting the electrical resistivity into a signal which is indicative of the magnetic field strength of the magnetic field associated with the magnetic recording medium. A digital magnetic recording system, according to the present invention, is adapted for use with a magnetic recording medium having a characteristic coercive force and a plurality of stored bits thereon. The bits are stored by magnetic field strength levels of a magnetic field associated with the medium. The system can include a conventional write head and a controller. The system can also include a read head including a portion of magnetoresistive material according to the present invention which is located in proximity to the medium and a suitable resistivity sensor.
L'invention concerne un matériau magnétorésistif à deux phases métalliques magnétiques à effet de magnétorésistance géant (GMR). Une première phase du matériau comprend une matrice d'un métal de transition ferromagnétique électroconducteur ou d'un alliage d'un tel métal. Une deuxième phase précipitée présente un comportement ferromagnétique lorsqu'elle est précipitée dans la matrice et est couplée avec échange antiferromagnétique à la première phase. La deuxième phase précipitée peut être un pnictide de terres rares électroconducteur ou peut être un alliage Heusler. Un procédé de fabrication de matériaux magnétorésistifs conformes à l'invention utilise un revêtement par pulvérisation cathodique à magnétron sur cibles. L'invention concerne également un procédé de détection de l'intensité d'un champ magnétique consistant à utiliser une tête de lecture comprenant une portion de l'un des matériaux magnétorésistifs selon l'invention, à exposer la tête de lecture au champ magnétique d'un milieu d'enregistrement magnétique, à détecter la résistivité électrique de la portion de matériau associée au champ magnétique du milieu d'enregistrement magnétique, et à convertir la résistivité électrique en un signal indicateur de l'intensité du champ magnétique associé audit milieu d'enregistrement magnétique. Un système d'enregistrement magnétique numérique selon l'invention est adapté pour être utilisé avec un milieu d'enregistrement magnétique ayant une force coercitive caractéristique et une pluralité de bits mémorisés sur celui-ci. Les bits sont mémorisés par des niveaux d'intensité de champ magnétique associé au milieu. Le système peut comprendre une tête d'écriture conventionnelle et une unité de commande. Le système peut également comprendre une tête de lecture présentant une portion de matériau magnétorésistif selon l'invention, qui est logée à proximité du milieu et un détecteur de résistivité approprié.
Gambino Richard J.
Kim Taewan
Kim Taewan
Smart & Biggar
The Research Foundation Of The State University Of New York
LandOfFree
Magnetoresistive material with two metallic magnetic phases does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Magnetoresistive material with two metallic magnetic phases, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Magnetoresistive material with two metallic magnetic phases will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1545764